टंगस्टन सिलिसाइड पाउडर WSi2 पाउडर

टंगस्टन सिलिसाइड (WSi2) एक अकार्बनिक यौगिक है जो टंगस्टन का सिलिसाइड है। यह एक प्रवाहकीय सिरेमिक सामग्री है।

प्रतिरोधकता 60-80 μΩ सेमी के साथ संपर्क सामग्री के रूप में माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक में उपयोग किया जाता है; यह 1000 डिग्री पर बनता है। यह अक्सर उनकी चालकता और सिग्नल की गति को बढ़ाने के लिए पॉलीसिलिकॉन तारों के शंट के रूप में उपयोग किया जाता है। टंगस्टन सिलिसाइड परत को रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा तैयार किया जा सकता है, उदाहरण के लिए स्रोत गैस के रूप में टंगस्टन हेक्साफ्लोराइड के साथ मोनोसिलीन या डाइक्लोरोसिलेन का उपयोग करना। जमा की गई फिल्म नॉन-स्टोइकियोमेट्रिक है और अधिक प्रवाहकीय स्टोइकोमेट्रिक फॉर्म में बदलने के लिए एनीलिंग की जरूरत है। टंगस्टन सिलसाइड टंगस्टन फिल्म का एक प्रारंभिक विकल्प है। टंगस्टन सिलिसाइड का उपयोग सिलिकॉन और अन्य धातुओं जैसे टंगस्टन के बीच एक बाधा परत के रूप में भी किया जाता है।

टंगस्टन सिलिसाइड में माइक्रोइलेक्ट्रोमैकेनिकल सिस्टम में भी अनुप्रयोग होते हैं, और यह मुख्य रूप से सूक्ष्म सर्किट के निर्माण के लिए एक पतली फिल्म के रूप में उपयोग किया जाता है। इस उद्देश्य के लिए, टंगस्टन सिलिसाइड फिल्मों को प्लाज्मा नक़्क़ाशीदार किया जा सकता है, उदाहरण के लिए, नाइट्रोजन ट्राइफ्लोराइड गैस।

WSi2 एंटी-ऑक्सीडेशन कोटिंग्स में अच्छा प्रदर्शन करता है। विशेष रूप से, मोलिब्डेनम डिसिलिसाइड (MoSi2) के समान, टंगस्टन डिसिलिसाइड की उच्च उत्सर्जनता इस सामग्री को उच्च तापमान वाले रेडिएटिव कूलिंग के लिए आकर्षक बनाती है और थर्मल सुरक्षा को प्रभावित करती है।