उच्च शुद्धता मैग्नीशियम पिंड प्रक्रिया जटिल
उच्च शुद्धता मैग्नीशियम पिंड मैग्नीशियम पिंड को संदर्भित करता है जिसकी शुद्धता 99.99 प्रतिशत से ऊपर पहुंच जाती है। उच्च शुद्धता मैग्नीशियम पिंड में विमानन, एयरोस्पेस, परमाणु ऊर्जा, इलेक्ट्रॉनिक्स, फोटोइलेक्ट्रिक और अन्य क्षेत्रों में व्यापक अनुप्रयोग हैं। उच्च शुद्धता वाले मैग्नीशियम पिंड की तैयारी प्रक्रिया अपेक्षाकृत जटिल है, मुख्य रूप से निम्नलिखित कारणों से।
विवरण
विवरण
उच्च शुद्धता मैग्नीशियम पिंड का कच्चा माल मैग्नीशियम अयस्क है, जिसे आमतौर पर उच्च शुद्धता आवश्यकताओं को प्राप्त करने के लिए कई बार परिष्कृत करने की आवश्यकता होती है।
मैग्नीशियम अयस्क पर लाभकारी उपचार करना, अशुद्धियों को दूर करना और फिर गलाने, इलेक्ट्रोलिसिस और अन्य प्रक्रियाओं को पूरा करना और अंत में उच्च शुद्धता मैग्नीशियम धातु प्राप्त करना आवश्यक है।
इस प्रक्रिया में बड़ी संख्या में उच्च शुद्धता वाले रासायनिक अभिकर्मकों, जैसे उच्च शुद्धता वाले मैग्नीशियम हाइड्रॉक्साइड, उच्च शुद्धता वाले मैग्नीशियम क्लोराइड आदि का उपयोग करने की आवश्यकता होती है, इन रासायनिक अभिकर्मकों की तैयारी के लिए भी जटिल तकनीकी प्रवाह की आवश्यकता होती है।
विनिर्देश
शुद्ध मैग्नीशियम पिंड जानकारी
| मानक प्रतिशत | परीक्षा परिणाम प्रतिशत | |
| सी | 6.5-7.5 | 6.73 |
| फ़े | 0.12 मैक्स | 0.047 |
| घन | 0.1 मैक्स | 0.0022 |
| एम.एन. | 0.05 मैक्स | 0.013 |
| मिलीग्राम | 0.3-0.45 | 0.381 |
| Zn | 0.05 मैक्स | 0.016 |
| ती | 0.2 मैक्स | 0.14 |
| अल | संतुलन | 92.62 |
उच्च शुद्धता मैग्नीशियम पिंड की तैयारी प्रक्रिया में, प्रतिक्रिया उत्पाद की प्रतिक्रिया दक्षता और शुद्धता सुनिश्चित करने के लिए उच्च तापमान और उच्च दबाव की प्रतिक्रिया स्थितियों को अपनाया जाना चाहिए।
इसके लिए उच्च तापमान भट्ठी, उच्च दबाव रिएक्टर और अन्य उपकरणों के उपयोग की आवश्यकता होती है, और प्रतिक्रिया की स्थिरता और नियंत्रणीयता सुनिश्चित करने के लिए प्रतिक्रिया तापमान, प्रतिक्रिया समय, प्रतिक्रिया दबाव और अन्य मापदंडों को नियंत्रित करने की आवश्यकता होती है।
प्रतिक्रिया की प्रक्रिया में, प्रतिक्रिया की सुचारू प्रगति सुनिश्चित करने के लिए प्रतिक्रिया तरल, पीएच मान और अन्य मापदंडों की एकाग्रता को नियंत्रित करना भी आवश्यक है।
सामान्य प्रश्न
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