FZ सिलिकॉन वेफर सेमीकंडक्टर

FZ सिलिकॉन वेफर सेमीकंडक्टर

विवरण FZ सिलिकॉन वेफर एक प्रकार का उच्च शुद्धता वाला सिलिकॉन वेफर है जो आमतौर पर सेमीकंडक्टर उद्योग में उपयोग किया जाता है। FZ का मतलब फ्लोट ज़ोन है, जो सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन उगाने की एक विधि है। FZ प्रक्रिया के दौरान, एक उच्च तापमान भट्ठी में एक सिलिकॉन रॉड को लंबवत रूप से निलंबित कर दिया जाता है, और ...

विवरण

 

विवरण

FZ सिलिकॉन वेफर एक प्रकार का उच्च शुद्धता वाला सिलिकॉन वेफर है जो आमतौर पर सेमीकंडक्टर उद्योग में उपयोग किया जाता है। FZ का मतलब फ्लोट ज़ोन है, जो सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन उगाने की एक विधि है।

FZ प्रक्रिया के दौरान, एक सिलिकॉन रॉड को उच्च तापमान वाली भट्टी में लंबवत रूप से निलंबित कर दिया जाता है, और रॉड के एक छोटे से हिस्से को गर्म करके पिघला हुआ क्षेत्र बनाया जाता है। पिघला हुआ क्षेत्र छड़ की लंबाई के साथ चलता है, और जैसे ही यह ठंडा होता है, यह एकल क्रिस्टल में जम जाता है। प्रक्रिया को कई बार दोहराया जाता है जब तक कि छड़ की पूरी लंबाई एक क्रिस्टल में परिवर्तित नहीं हो जाती।

FZ सिलिकॉन वेफर्स में शुद्धता का स्तर बहुत अधिक होता है, जिसमें अशुद्धता का स्तर आमतौर पर प्रति बिलियन एक भाग से कम होता है। यह शुद्धता उन्हें माइक्रोप्रोसेसर, मेमोरी चिप्स और सौर सेल जैसे उच्च प्रदर्शन वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग के लिए आदर्श बनाती है। FZ वेफर्स का उपयोग वैज्ञानिक अनुसंधान और उच्च-प्रदर्शन सेंसर और डिटेक्टरों के उत्पादन में भी किया जाता है।

विनिर्देश

व्यास 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
वृद्धि विधि FZ
अभिविन्यास < 1-0-0 > , < 1-1-1 > 
टाइप / डोपेंट इंट्रिंसिक, एन टाइप/फॉस, पी टाइप/बोरॉन
मोटाई (उम) 279 380 525 625 675 725
मोटाई सहिष्णुता मानक ± 25um ± 50um
प्रतिरोधकता (ओम-सेमी) 1000-20000, Maximum Capabilities>20000, और 1-5
सतह समाप्त P/E , P/P, E/E, G/G
टीटीवी (उम) मानक< 10 um
धनुष / ताना (उम) मानक<40 um

FZ Silicon Wafer Semiconductor

 

 

 

 

 

 

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