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पॉलीसिलिकॉन और क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन के बीच क्या अंतर है?

 

 

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन और पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के बीच क्या अंतर है?

संपत्ति मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन बहुवर्धक सिलिकॉन
क्रिस्टल की संरचना निरंतर एकल-क्रिस्टल जाली अनाज की सीमाओं के साथ कई छोटे क्रिस्टल
विनिर्माण पद्धति Czochralski प्रक्रिया (धीमी, उच्च शुद्धता) कास्टिंग पिघला हुआ सिलिकॉन (तेजी से, लागत प्रभावी)
दक्षता (सौर) 15-24% (उच्च ऊर्जा रूपांतरण) 13-18% (अनाज दोष के कारण कम)
भौतिक अपशिष्ट ~ बेलनाकार सिल्लियों को काटते समय 50% नुकसान न्यूनतम अपशिष्ट (प्रत्यक्ष मोल्डिंग)
उपस्थिति एकसमान गहरे काले रंग का ह्यू धब्बेदार नीली सतह

 

पॉलीसिलिकॉन और क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन के बीच क्या अंतर है?

स्पष्टीकरण: "पॉलीसिलिकॉन" बनाम "क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन"

पोलिसिलिकॉन (पॉली-सी)के साथ पर्यायबहुमूलक सिलिकॉन, सिलिकॉन का जिक्र कई क्रिस्टलीय अनाज में एकजुट हो गया।

क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन‌: एक मानक तकनीकी शब्द नहीं; आमतौर पर या तो तात्पर्य हैmonocrystalline(पूरी तरह से क्रिस्टलीकृत) याpolycrystalline(आंशिक रूप से क्रिस्टलीकृत) सिलिकॉन। औद्योगिक संदर्भ विशेष रूप से "पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन" का उपयोग करते हैं।

 

पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के लिए कच्चे माल क्या हैं?

पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन उत्पादन के लिए कच्चे माल

प्राथमिक इनपुट में शामिल हैं:

धातु-ग्रेड सिलिकॉन (एमजी-सी)‌: ~ 98% शुद्ध, चाप भट्टियों में क्वार्टजाइट में कमी से व्युत्पन्न।

रासायनिक शुद्धि‌: सीमेंस प्रक्रिया शोधन के लिए क्लोरीन यौगिक (जैसे, SIHCL)।

बीज क्रिस्टल‌: कास्टिंग मोल्ड्स में नियंत्रित ठोसकरण शुरू करने के लिए टुकड़े।

 

क्या पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन कंडक्टिव है?

पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन की विद्युत चालकता

अंतर्निहित राज्य‌: शुद्ध पॉली-सी एक ‌ हैअर्धचालक‌-व्यवहार निरपेक्ष शून्य पर एक इन्सुलेटर के रूप में लेकिन गर्मी/प्रकाश उत्तेजना के साथ चालकता प्राप्त करता है।

डोपिंग निर्भरता‌: चालकता ट्यून करने योग्य है:

फास्फोरस डोपिंग→ एन-टाइप (इलेक्ट्रॉन चालन)

बोरॉन डोपिंग→ पी-प्रकार (छेद चालन)

अनाज सीमा प्रभाव‌: क्रिस्टल इंटरफेस बिखरे हुए वाहक, मोनो-सी की तुलना में गतिशीलता को कम करते हैं। सीमाओं पर चालन उच्च क्षेत्रों के तहत पूले-फ्रेंकेल उत्सर्जन का अनुसरण करता है।

प्रमुख प्रदर्शन मेट्रिक्स

इलेक्ट्रॉन गतिशीलता‌: मोनो-सी: ~ 1,400 सेमी//वी · एस|पॉली-सी:<800 cm²/V·s

तापीय स्थिरता‌: पॉली-सी 1,400 डिग्री तक संरचनात्मक अखंडता को बरकरार रखता है, उच्च-टीईएमपी प्रक्रियाओं के लिए महत्वपूर्ण है।

औद्योगिक प्रभुत्व‌: Poly-Si constitutes >स्केलेबल उत्पादन के कारण सौर-ग्रेड सिलिकॉन की मात्रा का 80%।

मोनो-सी की बेहतर दक्षता प्रीमियम इलेक्ट्रॉनिक्स और अंतरिक्ष अनुप्रयोगों में इसके उपयोग को सही ठहराती है, जबकि पॉली-सी लागत-चालित गोद लेने के माध्यम से स्थलीय सौर खेतों पर हावी है।

 

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