सिलिकॉन कार्बाइड अपघर्षक

विनिर्देश

इसकी कम प्राकृतिक सामग्री के कारण, सिलिकॉन कार्बाइड मुख्य रूप से मानव निर्मित है। एक आम तरीका है क्वार्ट्ज रेत को कोक के साथ मिलाना, सिलिका और पेट्रोलियम कोक का उपयोग करना, नमक और लकड़ी के चिप्स मिलाना, इसे इलेक्ट्रिक भट्ठी में रखना, इसे लगभग 2000 डिग्री के उच्च तापमान पर गर्म करना और विभिन्न रसायनों के बाद सिलिकॉन कार्बाइड पाउडर प्राप्त करना है। प्रक्रियाएँ।

सिलिकॉन कार्बाइड अपघर्षक (SiC) अपनी अत्यधिक कठोरता के कारण एक महत्वपूर्ण अपघर्षक बन गया है, लेकिन इसकी अनुप्रयोग सीमा सामान्य अपघर्षक से अधिक है। उदाहरण के लिए, इसका उच्च तापमान प्रतिरोध और तापीय चालकता इसे सुरंग भट्टों या शटल भट्टों के लिए पहली पसंद भट्ठी फर्नीचर सामग्री में से एक बनाती है। इसकी विद्युत चालकता इसे एक महत्वपूर्ण विद्युत ताप तत्व बनाती है।

SiC उत्पाद तैयार करने के लिए, आपको पहले SiC गलाने वाले ब्लॉक [या: SiC कणिकाएं तैयार करनी होंगी। चूँकि उनमें C होता है और वे अत्यधिक कठोर होते हैं, SiC कणिकाओं को कभी एमरी कहा जाता था। लेकिन सावधान रहें: इसकी संरचना प्राकृतिक एमरी (गार्नेट) से भिन्न होती है। औद्योगिक उत्पादन में, SiC गलाने वाले ब्लॉक आमतौर पर कच्चे माल, सहायक पुनर्नवीनीकरण सामग्री और अपशिष्ट सामग्री के रूप में क्वार्ट्ज, पेट्रोलियम कोक आदि का उपयोग करते हैं, और उचित अनुपात और उचित कण आकार (समायोजित करने के लिए) के साथ भट्ठी सामग्री में पीसने और अन्य प्रक्रियाओं के माध्यम से तैयार किए जाते हैं भट्ठी सामग्री की पारगम्यता, एक उचित मात्रा में जोड़ने की आवश्यकता होती है (चूरा से, हरे सिलिकॉन कार्बाइड तैयार करते समय, उचित मात्रा में नमक भी जोड़ा जाता है) और उच्च तापमान पर तैयार किया जाता है। उच्च तापमान पर SiC गलाने वाले ब्लॉक तैयार करने के लिए थर्मल उपकरण तापमान एक विशेष सिलिकॉन कार्बाइड विद्युत भट्टी है।

इसकी संरचना में एक भट्ठी का तल, अंदर इलेक्ट्रोड के साथ एक अंतिम दीवार, एक हटाने योग्य साइड की दीवार और एक भट्ठी कोर बॉडी (पूरा नाम: विद्युत भट्टी के केंद्र में सक्रिय हीटिंग तत्व, आमतौर पर ग्रेफाइट पाउडर या पेट्रोलियम कोक होता है) शामिल है चार्ज के केंद्र में एक निश्चित आकार और आकार के अनुसार स्थापित किया जाता है, आमतौर पर गोलाकार या आयताकार। इसके दो सिरे इलेक्ट्रोड) और अन्य घटकों से जुड़े होते हैं। इस विद्युत भट्टी में उपयोग की जाने वाली फायरिंग विधि को आमतौर पर दफन पाउडर फायरिंग के रूप में जाना जाता है। इसे चालू करते ही हीटिंग शुरू हो जाती है। भट्टी के कोर का तापमान लगभग 2500 डिग्री या उससे भी अधिक (2600~2700 डिग्री) होता है। जब चार्ज 1450 डिग्री तक पहुंचता है तो SiC का संश्लेषण शुरू हो जाता है (लेकिन SiC मुख्य रूप से 1800 डिग्री से अधिक या उसके बराबर बनता है), और CO जारी होता है।

हालाँकि, SiC 2600 डिग्री से अधिक या उसके बराबर पर विघटित हो जाएगा, लेकिन विघटित Si चार्ज में C के साथ प्रतिक्रिया करके SiC बनाएगा। विद्युत भट्टियों का प्रत्येक समूह ट्रांसफार्मर के एक सेट से सुसज्जित है, लेकिन मूल रूप से निरंतर शक्ति बनाए रखने के लिए विद्युत भार विशेषताओं के अनुसार वोल्टेज को समायोजित करने के लिए उत्पादन के दौरान केवल एक विद्युत भट्टी को संचालित किया जाता है। उच्च शक्ति वाली विद्युत भट्टी को लगभग 24 घंटे तक गर्म करने की आवश्यकता होती है। बिजली गुल होने के बाद, SiC उत्पन्न करने की प्रतिक्रिया मूल रूप से पूरी हो जाती है। शीतलन की अवधि के बाद, साइड की दीवारों को हटाया जा सकता है, और फिर चार्ज को धीरे-धीरे बाहर निकाला जाता है।

सामान्य प्रश्न