टंगस्टन स्पटरिंग लक्ष्य

जेनएन टंगस्टन स्पटरिंग निर्माता

टंगस्टन स्पटरिंग विवरण

स्पटर लक्ष्य (कैथोड) और एनोड के बीच एक ऑर्थोगोनल चुंबकीय क्षेत्र और एक विद्युत क्षेत्र जोड़ा जाता है, और आवश्यक अक्रिय गैस (आमतौर पर Ar गैस) को उच्च वैक्यूम कक्ष में भर दिया जाता है। विद्युत क्षेत्र की कार्रवाई के तहत, Ar गैस को सकारात्मक आयनों और इलेक्ट्रॉनों में आयनित किया जाता है, लक्ष्य में एक निश्चित नकारात्मक उच्च वोल्टेज जोड़ा जाता है।

लक्ष्य से उत्सर्जित इलेक्ट्रॉन चुंबकीय क्षेत्र से प्रभावित होते हैं और कार्यशील गैस की आयनीकरण संभावना बढ़ जाती है, जिससे कैथोड के पास एक उच्च घनत्व वाला प्लाज्मा बनता है।

Ar आयन लोरेंत्ज़ बल द्वारा संचालित होते हैं। यह लक्ष्य सतह की ओर बढ़ता है और बहुत तेज गति से लक्ष्य सतह पर बमबारी करता है, जिससे लक्ष्य पर बिखरे हुए परमाणु गति रूपांतरण के सिद्धांत का पालन करते हैं और एक फिल्म जमा करने के लिए उच्च गतिज ऊर्जा के साथ लक्ष्य सतह से सब्सट्रेट की ओर उड़ जाते हैं।

जेनएन स्पटरिंग लक्ष्यों, वाष्पीकरण स्रोतों और अन्य जमाव सामग्री की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करता है, जो पूरी साइट पर सामग्री द्वारा सूचीबद्ध है। आपकी आवश्यकताओं से मेल खाने वाले स्पटरिंग लक्ष्य और जमाव सामग्री के लिए नीचे बजट मूल्य निर्धारण खोजें। बाज़ार में उतार-चढ़ाव के कारण वास्तविक कीमतें भिन्न हो सकती हैं।

टंगस्टन (डब्ल्यू) सामान्य जानकारी

टंगस्टन, जिसे टंगस्टन भी कहा जाता है, दुनिया के सबसे घने तत्वों में से एक है। इसका घनत्व 19.3 ग्राम/सीसी, गलनांक 3,410 डिग्री और वाष्प दबाव 2,757 डिग्री पर 10-4 टोर्र है।

दिखने में मटमैला सफेद और चमकदार है. यह सभी धातुओं में उच्चतम गलनांक के लिए जाना जाता है, और इसकी विशिष्ट कठोरता के कारण इसे शुद्ध रूप में मशीन बनाना और बनाना मुश्किल हो जाता है।

टंगस्टन का उपयोग आमतौर पर विद्युत फिलामेंट बनाने के लिए किया जाता है। टंगस्टन कार्बाइड ड्रिल बिट्स, आरी और गहनों में पाया जाता है। टंगस्टन को वैक्यूम के तहत वाष्पित किया जाता है और इसका उपयोग अर्धचालक, ईंधन कोशिकाओं और सेंसर के उत्पादन में किया जाता है।